型号:IRF640FP | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-220-3 整包 | 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP |
系列 | MESH OVERLAY™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 18A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 72nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1560pF @ 25V |
功率_最大 | 40W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | TO-220FP |
包装 | 管件 |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
深圳市源丰诚电子科技有限公司 | 朱先生0755-23919407 |
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